半導体製造用高精度冷却ソリューション
高効率チラーが生産性を向上させ、コストを削減し、次世代チップの電源を供給
「5nmノードでは、40%の歩留まりロスが熱的不安定性に関連しており、当社のチラーシステムはこれを37%削減します。」
熱精度=収益性:重要なアプリケーション
1. EUVリソグラフィー冷却システム
業界の課題:0.1°Cの水温変動が3nm以上のオーバーレイ誤差を引き起こす
私たちのソリューション:
✅ GVS CO₂冷凍機
超臨界R744冷媒方式による±0.1°Cの安定性
ゼロ振動伝達(0.1μm未満)によりASML NXEレンズの歪みを防止
レーザーのエネルギー急上昇に20msで対応
2. イオン注入装置用極低温システム
業界の課題:冷却速度が遅いことが結晶欠陥を誘発し、デバイスリークが40%増加
私たちのソリューション:
✅ Uシリーズ カスケード式極低温装置(-80°C)
カスケード式冷媒方式により8分で-50°Cまで急速冷却
PIDアルゴリズム制御による温度管理
絶縁体循環により高電圧アークを防止
3. 多区域CVD温度制御
業界の課題:チャンバー壁のドリフトにより±5%の膜厚変動が発生
私たちのソリューション:
✅ VT 3チャンネルチラー
ガスライン/チャンバー/真空ポンプそれぞれで独立した±0.1°Cの制御
アプライド マテリアルズ エンデュラ™と統合された熱流束予測
密閉ループにより交差汚染を防止

冷却を超えて:戦略的価値創出エンジン
️ エネルギーの持続可能性
廃熱回収(85°C → 超純水生成)によりファブのエネルギー使用量を23%削減
インダストリー4.0の統合
ウェーハ単位のカーボンフットプリント追跡とリアルタイム排出報告
️ ゼロ排出オペレーション
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リスク |
従来型チラー |
当社のソリューション |
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PFASの漏洩 |
規制上のペナルティ |
天然R744(REACH適合) |
将来性のあるファブ:次世代準備完了
技術ロードマップとの整合性
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ノード |
新興要件 |
私たちの対応 |
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3nm |
多ゾーン熱均一性 |
予測勾配制御 |
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2nm |
量子レベルの安定性 |
AI駆動型変動抑制 |
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GWP |
<150 強制基準 |
R744冷媒(GWP=1) |
1.技術的権威の強化
ASML/Applied Materials™機器参照(商標表記含む)
標準化された業界用語:"超臨界R744"("CO₂サイクル"ではない)、"カスケード冷凍"
2.データ完全性の保持
厳密な重要指標の維持:±0.1°C、<0.1μm、23%エネルギー削減
数学記号:>3nm("3nmを超える"ではない)、±5%の変動
3.問題-解決の枠組み
ネックポイントを能動態に変換:">3nmのオーバーレイ誤差を引き起こす"
解決策には視覚的スキャンのために✅を前置

4.規制遵守の正確性
REACH規格適合に関する明示的な記述
PFAS(「 フッ素系 冷媒 」の置き換え) EPA用語集より
5.ロードマップの信頼性
技術進化を示すノードの進展(5nm→3nm→2nm)
炭素政策の統合(GWP基準)
デジタル共有性のための絵文字は維持
比較データ用のクリーンな表組み