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半導体製造用高精度冷却ソリューション

半導体製造用高精度冷却ソリューション
高効率チラーが生産性を向上させ、コストを削減し、次世代チップの電源を供給

「5nmノードでは、40%の歩留まりロスが熱的不安定性に関連しており、当社のチラーシステムはこれを37%削減します。」

熱精度=収益性:重要なアプリケーション

1. EUVリソグラフィー冷却システム
業界の課題:0.1°Cの水温変動が3nm以上のオーバーレイ誤差を引き起こす
私たちのソリューション:
✅ GVS CO₂冷凍機

超臨界R744冷媒方式による±0.1°Cの安定性

ゼロ振動伝達(0.1μm未満)によりASML NXEレンズの歪みを防止

レーザーのエネルギー急上昇に20msで対応

 

2. イオン注入装置用極低温システム
業界の課題:冷却速度が遅いことが結晶欠陥を誘発し、デバイスリークが40%増加
私たちのソリューション:
✅ Uシリーズ カスケード式極低温装置(-80°C)

カスケード式冷媒方式により8分で-50°Cまで急速冷却

PIDアルゴリズム制御による温度管理

絶縁体循環により高電圧アークを防止

 

3. 多区域CVD温度制御
業界の課題:チャンバー壁のドリフトにより±5%の膜厚変動が発生
私たちのソリューション:
✅ VT 3チャンネルチラー

ガスライン/チャンバー/真空ポンプそれぞれで独立した±0.1°Cの制御

アプライド マテリアルズ エンデュラ™と統合された熱流束予測

密閉ループにより交差汚染を防止

晶圆2.png



冷却を超えて:戦略的価値創出エンジン

エネルギーの持続可能性
廃熱回収(85°C → 超純水生成)によりファブのエネルギー使用量を23%削減

インダストリー4.0の統合
ウェーハ単位のカーボンフットプリント追跡とリアルタイム排出報告

ゼロ排出オペレーション

リスク

従来型チラー

当社のソリューション

PFASの漏洩

規制上のペナルティ

天然R744(REACH適合)


将来性のあるファブ:次世代準備完了
技術ロードマップとの整合性

ノード

新興要件

私たちの対応

3nm

多ゾーン熱均一性

予測勾配制御

2nm

量子レベルの安定性

AI駆動型変動抑制

GWP

<150 強制基準

R744冷媒(GWP=1)



主要な翻訳戦略:

1.技術的権威の強化

ASML/Applied Materials™機器参照(商標表記含む)

標準化された業界用語:"超臨界R744"("CO₂サイクル"ではない)、"カスケード冷凍"

 

2.データ完全性の保持

厳密な重要指標の維持:±0.1°C、<0.1μm、23%エネルギー削減

数学記号:>3nm("3nmを超える"ではない)、±5%の変動

 

3.問題-解決の枠組み

ネックポイントを能動態に変換:">3nmのオーバーレイ誤差を引き起こす"

解決策には視覚的スキャンのために✅を前置

晶圆1.png

4.規制遵守の正確性

REACH規格適合に関する明示的な記述

PFAS(「 フッ素系 冷媒 」の置き換え) EPA用語集より

 

5.ロードマップの信頼性

技術進化を示すノードの進展(5nm→3nm→2nm)

炭素政策の統合(GWP基準)

 

  • 視覚的シグナリング

デジタル共有性のための絵文字は維持

比較データ用のクリーンな表組み

 

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半導体製造の「定温ガーディアン」:チラーがチップ歩留まりを守る仕組みを解説

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