듀얼 채널 냉각기
온도 안정성 : ±0.1℃
온도 범위 :-20˚C~+80˚C
냉각 용량 :-20℃@2 KW/20℃@10 KW
듀얼 서킷 정밀 냉각 시스템 단일 장비에서 두 독립 냉각장치의 성능을 구현함. 달성 성능: ±0.1℃ 회로당 안정성 반도체 핵심 공정 적용 분야:
PVD/CVD 장비 온도 제어
에칭 공정 열 관리
검증된 산업 호환성 aMAT, LAM, AMEC, TEL 및 기타 주요 파운드리 장비와 호환
- 개요
- 추천 제품
기술 설명:
링헝 듀얼 회로 냉각장치 하나의 장치에서 이중 독립 온도 제어를 제공합니다.
소재 ±0.1℃ 회로당 안정성 , 이 시스템들은 다음을 위해 설계되었습니다:
PVD/CVD 챔버의 동기화된 냉각
에칭 장비에서의 다중 존 열 관리
40% 작아진 공간 점유율과 업계 검증된 호환성(AMAT/LAM/TEL)으로 인해 공간 대비 효율적인 정밀 냉각의 새로운 기준을 제시합니다.

주요 장점:
하나의 장치로 두 가지 효율
» 독립 회로를 갖춘 2대의 냉각장치를 단일 장치로 대체
→ 청정실 공간 40% 절약 + CAPEX 30% 절감
정밀 이중 제어
» 회로당 ±0.1℃ 안정성 (ΔT<0. 2℃)
→ CVD/PVD 공정에서 필름 두께 편차 <3% 달성
공장 설치 준비 완료된 통합
» 사전 탑재된 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)/램 리서치(LAM)/도쿄일렉트론(TEL) 프로토콜
→ 300mm 장비 호환성 90%, 다운타임 65% 감소
에너지 트윈드라이브(Energy TwinDrive™)
» 기존 장비 대비 에너지 소비 35% 저감
→ SEMI S23 인증 획득, 연간 $18k 이상 절약 효과
교차 오염 제로
» 맞춤형 유로 경로 + 레이저 용접 조인트
→ UPW/플루오리네이트/EGW와 호환 
핵심 구성품 및 작동:
구성 요소 |
기술 |
압축기 |
액체 슬러깅 보호 기능이 있는 밀폐형 인버터 컴프레서 (±0. 1℃ 제어) |
콘덴서 |
스테인리스강, 열 손실 5% 미만 |
증발기 |
플레이트형 설계, 효율성이 35% 높음, 소음 ≤55dB |
히터 |
직접 가열 방식, ±0.3℃ 균일도 |
팽창 밸브 |
±1℃ 과열 조절 기능이 있는 전자 밸브 |
펌프 |
자기구동 펌프(불소계 유체 버전), 유량 변동 2% 미만 |

냉각 원리:
적응형 PID 냉동 사이클 :
1️⃣ 압축 → 냉매 가압
2️⃣ 응축 → 열 방출 및 액화
3️⃣ EEV 쓰로틀링 → 저압 생성
4️⃣ 증발 → 장비에서의 정밀한 열 흡수
5️⃣ 인버터 유량 제어 → ±0 유지 1℃ 안정성

| VD100 제품 매개변수 | |
| 제품 모델 | VD100-W-32 |
| 냉각 방법 | 수냉식 |
| 제어 모드 | PID 제어 |
| 온도 제어 범위 | -20℃~+80℃ |
| 정밀도 | ±0.1℃ |
| 냉장 용량 |
CH1/ CH2: -20℃@2 KW - 10℃@4 KW 0℃@6 KW 20℃@10 KW 80℃@10 KW |
| 전력 |
CH1:3KW CH2:3KW |
| Tank |
CH1: 20 L CH2: 20 L |
| 순환액 유량 |
CH1:20 L/min(0.75 MPa) CH2:20 L/min(0.75 MPa) |
| PCW 교통 | CH1: 15L/분@15~25℃ CH2: 15L/분@15~25℃ |
| 온도 범위 | 5~35℃ |
| 순환 유체 종류 | 에틸렌 글리콜 혼합액, 순수, 불소화 액체 |
| 냉매 | R410a |
| 순환 유체 인터페이스 | Rc3/4“ x 2 |
| PCW 인터페이스 | Rc1/2” x 2 |
| 외형 치수(mm) | 600W*920D*1300H |
| 입력 전원 공급 | 3상, 208-220V, 50Hz |
| 기계의 전력 | 16KW |
| 순중량 | 350kg |
| 설계 표준 | 반도체 |